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Les données de l'équipe de surveillance sont disponibles sur le site de l'équipe de surveillance.

fabricant:
Nexperia États-Unis Inc.
Description:
Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
3-XDFN Plateau exposé
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 2.4A, 10V
Type de FET:
P-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
309 pF @ 15 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'étoiles est le suivant:
Mfr:
Nexperia États-Unis Inc.
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
2.4A (ventres)
Dissipation de puissance (maximum):
Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur de l'électricité utilisée doit être égale ou sup
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Pour les appareils de surveillance des risques
Introduction
P-Channel 30 V 2,4 A (Ta) 400 mW (Ta), 8,3 W (Tc) Monture de surface DFN1010D-3
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