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Pour les produits de la catégorie 1

fabricant:
Nexperia États-Unis Inc.
Description:
MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
75 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
13mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3775 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
82A (Tj)
Power Dissipation (Max):
238W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Numéro du produit de base:
Le numéro de référence est le numéro PSMN013
Introduction
Le débit de l'électricité est calculé en fonction de l'intensité du courant.
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