Le numéro de série BUK9Y107-80EX
fabricant:
Nexperia États-Unis Inc.
Description:
MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
6.2 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
98mOhm @ 5A, 10V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (maximum):
±10V
Product Status:
Active
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
706 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
11.8A (Tc)
Power Dissipation (Max):
37W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BUK9Y107
Introduction
N-canal 80 V 11.8A (Tc) 37W (Tc) Monture de surface LFPAK56, puissance-SO8
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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| Image | partie # | Description | |
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