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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

fabricant:
Nexperia États-Unis Inc.
Description:
Le système de détection de l'émission de gaz doit être équipé d'un dispositif de détection de gaz.
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.7V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
6-UDFN Exposed Pad
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
19 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 8A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
582 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Supplier Device Package:
DFN2020MD-6
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
Le nombre d'étoiles est déterminé en fonction de l'échantillon.
Power Dissipation (Max):
2.3W (Ta), 15W (Tc)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Base Product Number:
BUK6D23
Introduction
N-Channel 40 V 8A (Ta), 19A (Tc) 2,3W (Ta), 15W (Tc) Monture de surface DFN2020MD-6
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