une résistance à la combustion supérieure à 1 kPa;127
fabricant:
Nexperia États-Unis Inc.
Description:
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.15V @ 1mA
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
117 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.1mOhm @ 15A, 10V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6810 pF @ 12 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100A (Tc)
Power Dissipation (Max):
211W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PSMN2R0
Introduction
N-canal 30 V 100A (Tc) 211W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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BUK9M120-100EX
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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| Image | partie # | Description | |
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