Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodromes.
fabricant:
Nexperia États-Unis Inc.
Description:
MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
900mV @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Package / Case:
4-XFBGA, WLCSP
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
10 OR @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 3A, 4.5V
Type de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
415 pF @ 6 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
4-WLCSP (0.78x0.78)
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.9A (Ta)
Power Dissipation (Max):
400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMCM4401
Introduction
P-Channel 12 V 3.9A (Ta) 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Monture de surface 4-WLCSP (0.78x0.78)
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BUK9M120-100EX
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