Le numéro de série TGF2978-SM
fabricant:
Qorvo
Description:
Transistors RF JFET 8 à 12 GHz 20 W GaN PAE 50% Gain 11 dB
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
GaN SiC
Catégorie de produits:
Transistors RF JFET
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Les gains:
11 dB
Type de transistor:
HEMT
Puissance de sortie:
19 W
Emballage / boîtier:
QFN-20
Température de fonctionnement maximale:
+ 225 C
Vds - tension claque de Drain-source:
32 V
emballage:
Plateau
Identification - courant continu de drain:
1,3 A
Vgs - Tension de rupture de la porte-source:
- 2,7 V
Pd - Dissipation de l'énergie:
33 W
Produit de fabrication:
Qorvo
Introduction
Le TGF2978-SM,de Qorvo,est des transistors RF JFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
Le numéro de téléphone:
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
Le code de référence est le QPD1015L
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 ou 2 du présent règlement.
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
QPD1000 est le nombre de
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
TGF2953
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
| Image | partie # | Description | |
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