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fabricant:
Qorvo
Description:
Transistors RF JFET.03-3GHz Gain 17dB P3dB GaN 9,3W@2,4GHz
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
GaN SiC
Catégorie de produits:
Transistors RF JFET
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Les gains:
17.1 dB
Type de transistor:
HEMT
Pd - Dissipation de l'énergie:
15.3 W
Emballage / boîtier:
QFN-EP-16
Puissance de sortie:
11 W
Vds - tension claque de Drain-source:
32 V
emballage:
Plateau
Identification - courant continu de drain:
557 mA
Vgs - Tension de rupture de la porte-source:
- 2,7 V
Produit de fabrication:
Qorvo
Introduction
Le TGF3015-SM,de Qorvo,est des transistors RF JFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce.
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
Le numéro de téléphone:
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
Le code de référence est le QPD1015L
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
QPD1000 est le nombre de
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
TGF2953
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce. |
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