Le code de référence est le QPD1015L
fabricant:
Qorvo
Description:
Transistors RF JFET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
GaN SiC
Catégorie de produits:
Transistors RF JFET
Mode de montage:
Je vais me faire foutre!
Les gains:
DB 20
Type de transistor:
HEMT
Puissance de sortie:
70 W
Emballage / boîtier:
NI-360
Température de fonctionnement maximale:
+ 85 °C
Vds - tension claque de Drain-source:
50 V
emballage:
Plateau
Identification - courant continu de drain:
2,5 A
Vgs - Tension de rupture de la porte-source:
145 V
Pd - Dissipation de l'énergie:
64 W
Produit de fabrication:
Qorvo
Introduction
Le QPD1015L, de Qorvo, est des transistors RF JFET. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces d'origine et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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