TGF2953
fabricant:
Qorvo
Description:
Transistors RF JFET DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41,2dBm
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
GaN SiC
Catégorie de produits:
Transistors RF JFET
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Les gains:
18.2 dB
Type de transistor:
HEMT
Puissance de sortie:
410,6 dBm
Emballage / boîtier:
Je meurs.
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Vds - tension claque de Drain-source:
32 V
emballage:
gaufre
Voltage maximal de la porte de vidange:
Pour les appareils électroniques
Identification - courant continu de drain:
820 mA
Pd - Dissipation de l'énergie:
17 W
Produit de fabrication:
Qorvo
Introduction
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce.
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Le numéro de téléphone:
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Le code de référence est le QPD1015L
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 ou 2 du présent règlement.
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QPD1000 est le nombre de
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| Image | partie # | Description | |
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