Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce.
fabricant:
Qorvo
Description:
Transistors RF JFET DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
GaN SiC
Catégorie de produits:
Transistors RF JFET
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Les gains:
DB 15
Type de transistor:
HEMT
Pd - Dissipation de l'énergie:
28 W
Puissance de sortie:
17 W
Vds - tension claque de Drain-source:
Pour les appareils électroniques
emballage:
Plateau
Identification - courant continu de drain:
5 A
Produit de fabrication:
Qorvo
Introduction
Le T2G6001528-SG,de Qorvo,est des transistors RF JFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le code de référence est le QPD1015L
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 ou 2 du présent règlement.
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| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
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T2G6000528-Q3 |
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Le code de référence est le QPD1015L |
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