QPD1000 est le nombre de
fabricant:
Qorvo
Description:
Transistors RF JFET 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
GaN SiC
Catégorie de produits:
Transistors RF JFET
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Les gains:
DB 19
Type de transistor:
HEMT
Puissance de sortie:
24 W
Emballage / boîtier:
QFN-8
Température de fonctionnement maximale:
+ 85 °C
Vds - tension claque de Drain-source:
28 V
emballage:
Plateau
Identification - courant continu de drain:
817 mA
Vgs - Tension de rupture de la porte-source:
Pour les appareils électroniques
Pd - Dissipation de l'énergie:
28.8 W
Produit de fabrication:
Qorvo
Introduction
Le QPD1000, de Qorvo, est des transistors RF JFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce.
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
Le numéro de téléphone:
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
Le code de référence est le QPD1015L
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 ou 2 du présent règlement.
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| Image | partie # | Description | |
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce. |
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Le code de référence est le QPD1015L |
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