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Transistors bipolaires - BJT
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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Le nombre d'heures de travail est le suivant: |
Transistors bipolaires - BJT BCP56-10T/SC-73/REEL 7" Q1/T1
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Nexpéria
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MJD45H11G |
Transistors bipolaires - BJT 8A 80V 20W PNP
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Uniseme
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BCP56-16T1G |
Transistors bipolaires - BJT 1A 100V NPN
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Uniseme
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Le code de référence est le code de référence. |
Transistors bipolaires - puissance moyenne de BJT NPN
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Diodes incorporées
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MMBTA92-7-F |
Transistors bipolaires - BJT - 300V 300mW
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Diodes incorporées
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BC858B,215 |
Transistors bipolaires - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexpéria
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Le BCP53,115 |
Transistors bipolaires - BJT PNP 80V 1A
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Nexpéria
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2SC2411KT146R |
Transistors bipolaires - BJT NPN 32V 0,5A
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Semi-conducteurs Rohm
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Le nombre de personnes concernées par les mesures de sécurité est fixé par le règlement (CE) no 1224/2009. |
Transistors bipolaires - BJT NPN BIPOLAR
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Diodes incorporées
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2SA1037AKT146R, dont le résultat est obtenu en utilisant les méthodes suivantes: |
Transistors bipolaires - BJT PNP 50V 0,15A
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Semi-conducteurs Rohm
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
Transistors bipolaires - BJT 80V 300mW
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Diodes incorporées
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Le PMBTA06,215 |
Transistors bipolaires - BJT NPN GP 500MA 80V
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Nexpéria
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BCP56 |
Transistors bipolaires - BJT NPN MED 1A 80V
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Nexpéria
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PZTA42T1G |
Transistors bipolaires - BJT 500mA 300V NPN
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Uniseme
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Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures prises. |
Transistors bipolaires - BJT NPN 160V 1,5A
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Semi-conducteurs Rohm
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Les pièces détachées ne doivent pas être utilisées. |
Transistors bipolaires - BJT NPN 50V 0,15A SOT-323
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Semi-conducteurs Rohm
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Transistors bipolaires - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2,0x2,1 mm
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Panasonic
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BCX51TA |
Transistors bipolaires - BJT Pwr Transistors à moyenne perf SOT89 T&R 1K
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Diodes incorporées
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2B1386T100Q |
Transistors bipolaires - BJT PNP 20V 5A
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Semi-conducteurs Rohm
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Les éléments suivants doivent être utilisés: |
Transistors bipolaires - BJT TRANS GP BJT PNP 60V 2A 3PIN
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Semi-conducteurs Rohm
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Les éléments suivants doivent être utilisés: |
Transistors bipolaires - BJT BIP PNP 2A 25V
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Uniseme
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2SC4617 |
Transistors bipolaires - BJT NPN 50V 0,15A SOT-416
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Semi-conducteurs Rohm
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement. |
Transistors bipolaires - BJT à basse tension de saturation
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Uniseme
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Pour les appareils à commande numérique |
Transistors bipolaires - BJT BIP PNP 5A 50V
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Uniseme
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une résistance à la combustion à l'air comprise entre 5 °C et 10 °C,115 |
Transistors bipolaires - BJT NPN 50V 3A
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Nexpéria
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Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: |
Transistors bipolaires - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2,0x2,1 mm
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Panasonic
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Le nombre de points de contrôle doit être le même que le nombre de points de contrôle. |
Transistors bipolaires - BJT BIP NPN 2A 50V
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Uniseme
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FMMT591TA |
Transistors bipolaires - BJT PNP de puissance moyenne
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Diodes incorporées
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2SB1198KT146Q |
Transistors bipolaires - BJT PNP 80V 0,5A
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Semi-conducteurs Rohm
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Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive. |
Transistors bipolaires - BJT 40V 300mW
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Diodes incorporées
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2SD1781KT146R |
Transistors bipolaires - BJT NPN 32V 0,8A
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Semi-conducteurs Rohm
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2SC2411KT146Q |
Transistors bipolaires - BJT NPN 32V 0,5A
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Semi-conducteurs Rohm
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2SA1774TLQ |
Transistors bipolaires - BJT PNP 50V 0,15A SOT-416
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Semi-conducteurs Rohm
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BSS64 215 |
Les transistors bipolaires - BJT TRANS HV TAPE-7
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Nexpéria
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PHPT60603NYX |
Transistors bipolaires - BJT NPN Transistors bipolaires haute puissance
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Nexpéria
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Le nombre d'équipements à transporter |
Transistors bipolaires - BJT NPN BIPOLAR
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Diodes incorporées
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Le produit doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement. |
Transistors bipolaires - BJT 10A 80V 50W PNP
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Uniseme
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Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées. |
Transistors bipolaires - BJT SS NPN 300 mW
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Diodes incorporées
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MMBT5401-7-F |
Transistors bipolaires - BJT SS PNP 300 mW
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Diodes incorporées
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le numéro BC857W,115 |
Transistors bipolaires - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexpéria
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Le numéro de série FZT1049ATA |
Transistors bipolaires - BJT NPN à gain élevé et crnt
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Diodes incorporées
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PBSS8110T,215 |
Transistors bipolaires - BJT TRANS BISS TAPE-7
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Nexpéria
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Les caractéristiques de l'appareil doivent être définies conformément à l'annexe II. |
Transistors bipolaires - BJT BIP PNP 5A 50V
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Uniseme
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Le code de l'équipage est le code de l'équipage de l'équipage. |
Transistors bipolaires - BJT 100V NPN bas VCE ((SAT) TRA
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Uniseme
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FMMT619TA |
Transistors bipolaires - BJT NPN SuperSOT
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Diodes incorporées
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FMMT596TA |
Transistors bipolaires - BJT PNP de puissance moyenne
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Diodes incorporées
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Le code de l'établissement est: |
Transistors bipolaires - BJT NPN Transistors bipolaires haute puissance
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Nexpéria
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BC807,215 |
Transistors bipolaires - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexpéria
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Le BCX51-16,115 |
Transistors bipolaires - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
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Nexpéria
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FMMT618TA |
Transistors bipolaires - BJT NPN SuperSOT
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Diodes incorporées
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