NJW0281G
fabricant:
Uniseme
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur CC maximal:
15 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Pour les appareils électroniques
Emballage / boîtier:
TO-3P-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
30 mégahertz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
Pour les appareils électroniques
Série:
Le nombre de points de contrôle est le suivant:
Tension basse VEBO d'émetteur:
5 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1V
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
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