Le nombre de personnes concernées par les mesures de sécurité est fixé par le règlement (CE) no 1224/2009.
fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistors bipolaires - BJT NPN BIPOLAR
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal:
200 mA ou plus
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
65 V
Emballage / boîtier:
Le SOT-23-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
300 MHz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
80 V
Série:
BC846
Tension basse VEBO d'émetteur:
6 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
600 système mv
Produit de fabrication:
Diodes incorporées
Introduction
Le BC846A-7-F, de Diodes Incorporated, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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