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Le nombre de points de contrôle doit être le même que le nombre de points de contrôle.

fabricant:
Uniseme
Description:
Transistors bipolaires - BJT BIP NPN 2A 50V
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal:
4 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
50 V
Emballage / boîtier:
Le PCP-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
150 mégahertz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
60 V
Série:
2SD1623
Tension basse VEBO d'émetteur:
6 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
0,15 V
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
Le 2SD1623S-TD-E, de onsemi, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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