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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.

fabricant:
Uniseme
Description:
Transistors bipolaires - BJT à basse tension de saturation
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
PNP
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal:
3 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
50 V
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
150 mégahertz
Configuration:
Unique
Série:
2SB1202
Tension basse VEBO d'émetteur:
6 V
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
Le 2SB1202T-TL-E, de onsemi, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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