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Transistors
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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Le nombre de personnes concernées par la présente décision est fixé par le règlement (UE) no 182/2011. |
Modules IGBT IGBT 1200V 900A
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Infineon Technologies
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Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: |
Les modules IGBT sont des modules IGBT
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Infineon Technologies
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon de véhicules. |
Modules IGBT IGBT 1700V 1200A
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Infineon Technologies
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la liste ci-dessous: |
Modules IGBT EconoDUAL 3 1700V double module IGBT avec IGBT4 de tranchée/arrêt de champ, diode contr
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Infineon Technologies
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Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respectent les règles en vigueur en ce qui concerne l'accès à ces services. |
Modules IGBT 3 Phases de rectificateur de pont avec IGBT
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IXYS
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AUIRGDC0250 |
Le système d'alimentation électrique doit être équipé d'un système d'alimentation électrique
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Infineon Technologies
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Le nombre d'équipements utilisés doit être déterminé en fonction de l'état de l'appareil. |
Modules IGBT N-CH 600V 37A
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Infineon Technologies
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Le numéro d'immatriculation du véhicule est: |
Modules IGBT N-CH 1,2 KV 100 A
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Infineon Technologies
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon de matériel. |
Modules IGBT Modules IGBT 650V 150A
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Infineon Technologies
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Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: |
Modules IGBT N-CH 600V 100A
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Infineon Technologies
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Les produits de la catégorie 1 ne sont pas soumis à la présente réglementation. |
Modules IGBT 1200V 150A double
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Infineon Technologies
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FF450R12KT4 |
Modules N-CH 1.2KV 580A d'IGBT
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Infineon Technologies
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Le numéro de série de l'équipement |
Le système d'alimentation électrique doit être équipé d'un système d'alimentation électrique de type
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Infineon Technologies
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Le numéro de série FNA22512 |
Modules IGBT 1200V 25A Inverteur Module de puissance intelligente
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Fairchild Semi-conducteur
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Le numéro de série est le numéro de série. |
Modules IGBT N-CH 1,2 KV 320A
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Infineon Technologies
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe. |
Modules IGBT IGBT 1200V 600A
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Infineon Technologies
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Le nombre de points de contrôle doit être supérieur à: |
Module d'IGBT
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Fuji électrique
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Les éléments suivants doivent être utilisés: |
Transistors bipolaires - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
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Semi-conducteurs Rohm
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Le numéro de téléphone de l'établissement: |
Transistors bipolaires - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
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Uniseme
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ZXTN649FTA |
Les transistors bipolaires - BJT Zetex Med. Power NPN
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Diodes incorporées
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Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité. |
Transistors bipolaires - BJT PNP 50V 1A SO-89
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Semi-conducteurs Rohm
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DSA200200L est un appareil électronique |
Transistors bipolaires - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2,9 x 2,8 mm
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Panasonic
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DSA7101R0L |
Transistors bipolaires - BJT BIPLR PW TRANS PLAT PLAD 4,5 x 4,0 mm
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Panasonic
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2SC2412KT146R |
Transistors bipolaires - BJT NPN 50V 0,15A
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Semi-conducteurs Rohm
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Les appareils doivent être équipés d'un système de contrôle de la qualité. |
Transistors bipolaires - BJT BIP PNP 5A 20V
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Uniseme
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Le numéro de série FCX495 |
Transistors bipolaires - puissance moyenne de BJT NPN
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Diodes incorporées
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2SC5200-O (Q) |
Transistors bipolaires - BJT NPN 230V 15A
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Toshiba
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BCW66HTA |
Transistors bipolaires - BJT NPN à faible saturation
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Diodes incorporées
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MMBT3906-7-F |
Transistors bipolaires - BJT 40V 300mW
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Diodes incorporées
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Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II. |
Transistors bipolaires - BJT 40V 150mW
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Diodes incorporées
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FZT651TA |
Transistors bipolaires - puissance moyenne de BJT NPN
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Diodes incorporées
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Le numéro de série FZT857TA |
Transistors bipolaires - BJT NPN haute tension
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Diodes incorporées
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Le numéro de téléphone est le ZXTN2010ZTA |
Transistors bipolaires - BJT 60V NPN Méde Power
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Diodes incorporées
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PZT2222AT1G |
Transistors bipolaires - BJT 600mA 75V NPN
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Uniseme
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MJD45H11-1G |
Transistors bipolaires - BJT 8A 80V 20W PNP
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Uniseme
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MMBTA42-7-F |
Transistors bipolaires - BJT 300V 300mW
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Diodes incorporées
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Le numéro de série FZT657TA |
Transistors bipolaires - BJT NPN haute tension
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Diodes incorporées
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Le système de détection des émissions de dioxyde de carbone |
Transistors bipolaires - BJT 200mA 60V NPN
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Uniseme
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FMMT593TA |
Transistors bipolaires - BJT PNP de puissance moyenne
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Diodes incorporées
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2SA1837 |
Transistors bipolaires - BJT PNP - 230V -1A 20W
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Toshiba
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FZT653TA |
Transistors bipolaires - puissance moyenne de BJT NPN
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Diodes incorporées
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Le numéro de série FZT851TA |
Transistors bipolaires - BJT NPN à courant élevé
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Diodes incorporées
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Les éléments suivants doivent être utilisés: |
Transistors bipolaires - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0,15A 3-P
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Semi-conducteurs Rohm
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SST3904T116 |
Transistors bipolaires - BJT 40V 20MA
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Semi-conducteurs Rohm
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2SC4672T100Q |
Transistors bipolaires - BJT NPN 50V 3A
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Semi-conducteurs Rohm
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BCP56T1G |
Transistors bipolaires - BJT 1A 100V NPN
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Uniseme
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Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise. |
Transistors bipolaires - BJT NPN 40V 0,6A
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Semi-conducteurs Rohm
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Le numéro de série est le numéro de série. |
Transistors bipolaires - BJT NPN 80V 1A
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Semi-conducteurs Rohm
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2SC3906KT146R, dont le numéro de série est le suivant: |
Transistors bipolaires - NPN 120V 50MA au BJT
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Semi-conducteurs Rohm
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2SA1037AKT146Q |
Transistors bipolaires - BJT PNP 50V 0,15A
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Semi-conducteurs Rohm
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