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Le nombre de personnes concernées par la présente décision est fixé par le règlement (UE) no 182/2011.

fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Modules IGBT IGBT 1200V 900A
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 400
Catégorie de produits:
Modules d'IGBT
Courant de collecteur continu à 25 C:
900 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Pour les appareils électroniques
Pd - Dissipation de l'énergie:
5,1 kW
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,05 V
Produit:
Modules de silicium d'IGBT
Produit de fabrication:
Infineon Technologies
Introduction
Le FF900R12IE4, de Infineon Technologies,est un module IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui est en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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