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Le numéro d'immatriculation du véhicule est:

fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Modules IGBT N-CH 1,2 KV 100 A
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 100
Catégorie de produits:
Modules d'IGBT
Courant de collecteur continu à 25 C:
100 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
515 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Pour les appareils électroniques
Emballage / boîtier:
Économie 3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Configuration:
Hex.
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,2 V
Produit:
Modules de silicium d'IGBT
Produit de fabrication:
Infineon Technologies
Introduction
Le FS100R12KT4G,de Infineon Technologies,est des modules IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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