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FF450R12KT4

fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Modules N-CH 1.2KV 580A d'IGBT
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 400
Catégorie de produits:
Modules d'IGBT
Courant de collecteur continu à 25 C:
580 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
2400 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Pour les appareils électroniques
Emballage / boîtier:
62 millimètres
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
emballage:
Produits en vrac
Configuration:
Dual
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,1 V
Produit:
Modules de silicium d'IGBT
Produit de fabrication:
Infineon Technologies
Introduction
Le FF450R12KT4, de Infineon Technologies, est un module IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui est en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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