PZT2222AT1G
fabricant:
Uniseme
Description:
Transistors bipolaires - BJT 600mA 75V NPN
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal:
0,6 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
40 V
Emballage / boîtier:
SOT-223-4
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
300 MHz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
Pour les appareils électroniques
Série:
PZT2222A
Tension basse VEBO d'émetteur:
6 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1V
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
Le PZT2222AT1G, de onsemi, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons ont un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
Related Products
BC817-25LT1G
2SA1417S-TD-E
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le journal officiel de l'Agence.
Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:
NJW0281G
D45H8G
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Les pièces détachées ne doivent pas être utilisées pour la fabrication d'un produit.
MJD31CT4G
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: