Filtres
Filtres
Transistors
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPW47N60CFD |
Le système de détection de la pollution par les gaz est utilisé pour la détermination des émissions
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. |
Le système de détection de la pollution par le gaz doit être équipé d'un système de détection de la
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
Le numéro de série FCP11 |
Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à:
|
Fairchild Semi-conducteur
|
|
|
|
|
|
Le produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage. |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET Il n'est pas nécessaire de détecter le niveau de décharge.
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
Les produits de la catégorie III sont soumis à des contrôles. |
MOSFET 64 Ampères 250V 0,049 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPA50R280CE |
MOSFET N-Ch 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CE
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IPW60R045CP |
Le système de régulation de l'émission de CO2 doit être conforme à la réglementation de l'émission d
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualifié
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
IPD50P04P4L-11 |
Transistor MOSFET P-ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe. |
Le système de détection de l'urine est utilisé pour la détection de l'urine.
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Les produits de la catégorie III sont soumis à des conditions de sécurité spécifiques. |
MOSFET 138 Ampères 300V 0,018 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Pour les appareils de surveillance de la sécurité |
MOSFET 52 Ampères 300V 0,066 Ohm Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPD90N04S4-04 |
Le système de détection de l'urine est utilisé pour la détection de l'urine.
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
|
Diodes incorporées
|
|
|
|
|
|
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. |
Le débit de l'électricité est calculé à partir du débit de l'électricité.
|
Siliconix / Vishay
|
|
|
|
|
|
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET 120V QFET à canal P
|
Fairchild Semi-conducteur
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF |
MOSFET P-Chan 200V 6,5 ampères
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IPW65R065C7 |
TRANSISTOR MOSFET HAUT POWER_NEW
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Le FCD4N60TM |
Le système d'échange de chaleur doit être utilisé pour la production de chaleur.
|
Fairchild Semi-conducteur
|
|
|
|
|
|
FDC2612 |
MOSFET 200V NCh PowerTrench
|
Fairchild Semi-conducteur
|
|
|
|
|
|
DMP6023LE-13 est une |
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 145W 20Vgs 2569pF
|
Diodes incorporées
|
|
|
|
|
|
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET 12V 5.1A 2,5W 35 mohms @ 4,5V
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
Le nombre de points de contrôle |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
|
Fairchild Semi-conducteur
|
|
|
|
|
|
Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées. |
MOSFET N Ch 30 Vds 20 Vgs
|
Siliconix / Vishay
|
|
|
|
|
|
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
MOSFET 30V 40A 48W 3,4 mohm @ 10V
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
IXFR140N30P |
MOSFET 82 Ampères 300V 0,026 Ohm Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SI7228DN-T1-GE3 |
MOSFET 30V 26A 23W 20mohm @ 10V
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
SI7942DP-T1-GE3 |
MOSFET double N-Ch 100V 49mohm @ 10V
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
Les produits doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement. |
Le système de détection de l'urine doit être utilisé pour la détermination de l'urine.
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Transistor MOSFET P-ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
IPD35N10S3L-26 |
Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à 100 V.
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IPW60R070C6 |
Le système de détection de la pollution atmosphérique est utilisé.
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IPW65R041CFD |
Transistor MOSFET N-ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SI4190ADY-T1-GE3 |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de la pollut
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
FDD8444 |
MOSFET basse tension
|
Fairchild Semi-conducteur
|
|
|
|
|
|
IPD90P04P4-05 |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SI4909DY-T1-GE3 |
Le système de détection des risques est utilisé pour les systèmes de détection des risques.
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. |
Le système de détection de l'urine est utilisé pour la détection de l'urine.
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Les données relatives à l'enregistrement sont fournies à l'adresse suivante: |
Le débit de l'appareil est de 30 V 12A 15,6 W
|
Vishay Semi-conducteurs
|
|
|
|
|
|
NDS352AP |
Mode d'amélioration du MOSFET P-Ch LL FET
|
Fairchild Semi-conducteur
|
|
|
|
|
|
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'établissement. |
Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à la valeur de l'appareil.
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Les données de l'établissement doivent être fournies conformément à l'annexe II. |
Le système de détection de l'urine doit être utilisé pour la détermination de l'urine.
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
DMN2400UV-7 |
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
|
Diodes incorporées
|
|
|
|
|
|
DMN2004DWK-7 |
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
|
Diodes incorporées
|
|
|
|
|
|
FDS4559 |
Transistor MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
|
Uniseme
|
|
|
|
|
|
FDPC8011S |
Transistor MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
|
Uniseme
|
|
|
|
|
|
DMN32D2LV-7 |
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563
|
Diodes incorporées
|
|
|
|
|
|
FDS6930B |
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
|
Uniseme
|
|
|