Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
fabricant:
Diodes incorporées
Description:
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
170 mA
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
SOT-323-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
Pour les appareils électroniques
emballage:
Le rouleau
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
800 système mv
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
20 V
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
10 Ohms
Produit de fabrication:
Diodes incorporées
Introduction
Le BSS123WQ-7-F,de Diodes Incorporated,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| Image | partie # | Description | |
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DMG1012T-7 |
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Le numéro de téléphone est le DMN61D9UW-7. |
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