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Transistors
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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STF13NM60N |
Transistor MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
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STMicroélectronique
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STW26NM60N |
Transistor MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
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STMicroélectronique
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FDL100N50F |
Le débit de l'appareil est de 500 V à 264 V.
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Uniseme
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NTR4003NT3G |
Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Uniseme
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DMN55D0UT-7 |
Transistor MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
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Diodes incorporées
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BVSS138LT1G |
Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Uniseme
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DMP2004K-7 |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de l'émissio
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Diodes incorporées
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Le numéro de série est le DMG3406L-7. |
Transistor MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
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Diodes incorporées
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MCH3474-TL-W |
Transistor MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
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Uniseme
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DMP2018LFK-7 |
Transistor MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
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Diodes incorporées
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ZXMN2A01FTA |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Diodes incorporées
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Les États membres doivent respecter les règles en vigueur en ce qui concerne l'accès à l'information. |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
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Infineon Technologies
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Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes: |
MOSFET N-CH 150V 0,9A 6-TSOP Il est utilisé pour la fabrication de l'électricité.
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Infineon Technologies
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FDD8880 |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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Uniseme
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NTF3055L108T1G |
Transistor MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
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Uniseme
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
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Uniseme
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Pour les véhicules à moteur à combustion |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
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Uniseme
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FDS6375 |
Le système de détection de la pollution par les gaz est utilisé pour la détection des gaz.
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Uniseme
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Le numéro de série de la ZXMN7A11GTA |
Les émissions de dioxyde de carbone et de dioxyde de carbone sont calculées à partir de la méthode s
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Diodes incorporées
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RFI14N05L |
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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Uniseme
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DMN601WK-7 |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Diodes incorporées
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STD4NK80ZT4 |
Le système d'exploitation doit être équipé d'un moteur de commande à commande numérique.
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STMicroélectronique
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IRF7240TRPBF |
Le système d'alimentation doit être équipé d'un système d'alimentation électrique.
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Infineon Technologies
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Les États membres doivent respecter les règles en matière de protection des données. |
Le débit de CO2 est supérieur ou égal à la valeur de l'énergie utilisée.
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Infineon Technologies
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IRFS4229TRLPBF |
Le système de détection de l'urine est utilisé.
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Infineon Technologies
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STD3NK80ZT4 |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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STMicroélectronique
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STW9N150 |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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STMicroélectronique
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Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil. |
MOSFET N-CH 950V 17,5A à 247
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STMicroélectronique
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IRLHS2242TRPBF |
Le système de détection de l'émission de gaz est utilisé pour la détection des gaz.
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Infineon Technologies
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FDMS7658AS |
Le système d'alimentation doit être équipé d'un moteur de commande à commande numérique.
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Uniseme
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STW9NK90Z |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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STMicroélectronique
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TK10A60D |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
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Toshiba
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2SK3878 |
Applications de régulateur de commutation
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Toshiba
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BLF871 |
FET LDMOS 89V 19DB SOT467C de RF
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Ampleon États-Unis Inc.
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Les produits à base d'alcool et d'alcool |
Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.
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Uniseme
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Le BCV27 |
Les transistors de Darlington SOT23 NPN DARLINGTON
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Fairchild Semi-conducteur
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Les produits doivent être soumis à un contrôle de qualité. |
Transistors Darlington 80V 300mW
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Diodes incorporées
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Le FZT600TA |
Les transistors de Darlington NPN Darlington
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Diodes incorporées
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MJD122T4G |
Les transistors de Darlington 8A 100V de puissance bipolaire NPN
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Uniseme
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TIP127 |
Les transistors Darlington PNP épitaxial Darl
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STMicroélectronique
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ULN2003AIDR |
Transistors Darlington HiVltg Hi-Crnt Darl Réglage de transistors
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Les instruments du Texas
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MJD122TF est un |
Les transistors de Darlington NPN Sil Darl Trans
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Fairchild Semi-conducteur
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BD681 |
Les transistors de Darlington
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STMicroélectronique
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STGW60H65DFB |
IGBT Transistors 600V 60A porte de tranchée IGBT
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STMicroélectronique
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ULN2003ADR |
Darlington Transistors Darlington
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Les instruments du Texas
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HGTG5N120BND |
Transistors IGBT 21a 1200V de la série N-Ch
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Fairchild Semi-conducteur
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IKW40N65H5 |
IGBT Transistors D' ingénierie échantillons
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Infineon Technologies
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FGAF40N60SMD |
Transistors IGBT 600 V 80 A 79 W
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Fairchild Semi-conducteur
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HGTG20N60A4D |
Transistors IGBT de 600 V
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Fairchild Semi-conducteur
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FGL60N100BNTD |
Transistors IGBT à haute puissance
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Fairchild Semi-conducteur
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