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ZXMN2A01FTA

fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
±12V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
1.9A (ventres)
@ qty:
0
Type de FET:
N-canal
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
Pour les appareils à induction électrique
Produit de fabrication:
Diodes incorporées
Quantité minimum:
3000
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
2.5V, 4.5V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
-
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
303pF @ 15V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-23-3
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils de type à commande numérique:
Dissipation de puissance (maximum):
625mW (ventres)
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
700 mV à 250 µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
Introduction
Le ZXMN2A01FTA, de Diodes Incorporated, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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