TK10A60D
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
±30V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
10A (ventres)
@ qty:
0
Type de FET:
N-canal
Type de montage:
À travers le trou
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
25nC @ 10V
Produit de fabrication:
Toshiba
Quantité minimum:
2500
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
Le nombre d'étoiles
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
1350 pF @ 25V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220SIS
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tuyaux
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
750 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum):
45W (comité technique)
Emballage / boîtier:
Plein paquet TO-220-3
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 1mA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
600 V
Introduction
Le TK10A60D,de Toshiba,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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