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fabricant:
Vishay Semi-conducteurs
Description:
Le débit de l'appareil est de 30 V 12A 15,6 W
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
emballage:
Le rouleau
Technologie:
SI
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nom commercial:
TrenchFET
Produit de fabrication:
Vishay Semi-conducteurs
Introduction
Le SIS412DN-T1-GE3,de Vishay Semiconductors,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
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| Image | partie # | Description | |
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Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9 |
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Si1022R-T1-GE3 |
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SUM110P08-11L-E3 |
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Les équipements doivent être équipés d'un système de contrôle de la circulation. |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
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SI4559ADY-T1-GE3 |
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
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SI4946BEY-T1-E3 |
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
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