Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
fabricant:
Vishay Semi-conducteurs
Description:
Le système de détection de la pollution par les gaz est utilisé pour la détection de la pollution.
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Technologie:
SI
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nom commercial:
TrenchFET
Emballage / boîtier:
Pour les appareils électroniques
emballage:
Le rouleau
Produit de fabrication:
Vishay Semi-conducteurs
Introduction
Le SI7145DP-T1-GE3, de Vishay Semiconductors, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
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SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
Les équipements doivent être équipés d'un système de contrôle de la circulation.
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
SIR462DP-T1-GE3
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
| Image | partie # | Description | |
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SUM110P08-11L-E3 |
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Les équipements doivent être équipés d'un système de contrôle de la circulation. |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
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SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
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SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
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SIR462DP-T1-GE3 |
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
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