FDMS3620S
fabricant:
Uniseme
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Power56
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le stock d'usine:
0
Quantité minimum:
3000
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Pour les appareils à combustion
Emballage / boîtier:
8-PowerTDFN
Statut de la partie:
Actif
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
17.5A, 38A
emballage:
Tape et bobine (TR)
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
2 canaux N (double) asymétriques
Caractéristique de FET:
Porte de niveau de logique
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
25 V
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.7 mOhm @ 17,5 A, 10 V
Puissance maximale:
1W
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2V @ 250μA
Série:
PowerTrench®
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
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