NTMFS5C430NLT1G
fabricant:
Uniseme
Description:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
200 A
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
Pour l'utilisation dans les appareils électroménagers
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
40 V
emballage:
Le rouleau
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
1.2 V
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
2,2 mOhms
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
20 V
Qg - charge de porte:
70 après JC
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
Le NTMFS5C430NLT1G,de onsemi,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le montant de la subvention est calculé en fonction de l'évolution de l'activité.
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| Image | partie # | Description | |
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NTMFS4C022NT1G |
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2N7002WT1G |
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Pour l'ATP106-TL-H |
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Le montant de la subvention est calculé en fonction de l'évolution de l'activité. |
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