NVD5117PLT4G: Les données sont fournies par les autorités compétentes.
fabricant:
Uniseme
Description:
Le système de détection de la pollution par le gaz doit être conforme à la présente directive.
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
P-canal
Technologie:
SI
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
TO-252-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Vds - tension claque de Drain-source:
- 60 V
emballage:
Le rouleau
Identification - courant continu de drain:
- 61 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
16 mOhms
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
20 V
Qg - charge de porte:
85 après JC
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
Le NVD5117PLT4G,de onsemi,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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| Image | partie # | Description | |
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