FCP22N60N
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
± 45 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
22A (TC)
@ qty:
0
Type de FET:
N-canal
Type de montage:
À travers le trou
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
45nC @ 10V
Produit de fabrication:
un demi
Quantité minimum:
1
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
SupreMOSTM
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Pour les appareils à sous tension
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220-3
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tuyaux
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Le système de régulation de l'énergie doit être équipé d'un système de régulation de l'énergie.
Dissipation de puissance (maximum):
Pour les appareils à commande numérique
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 250µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
600 V
Introduction
Le FCP22N60N, de onsemi, est un MOSFET.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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