Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Emballage / boîtier:
Le SOT-23-3
Vds - tension claque de Drain-source:
Pour les appareils électroniques
emballage:
Le rouleau
Identification - courant continu de drain:
170 mA
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
6 OHMS
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
Le BVSS123LT1G,de onsemi,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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