FDC6506P
fabricant:
Uniseme
Description:
Transistor MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SuperSOT™-6
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le stock d'usine:
0
Quantité minimum:
3000
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de freinage.
Emballage / boîtier:
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.
Statut de la partie:
Actif
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
1.8A
emballage:
Tape et bobine (TR)
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET:
Porte de niveau de logique
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
3.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Le système de régulation de l'énergie doit être équipé d'un système de régulation de l'énergie.
Puissance maximale:
700mW
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3V @ 250µA
Série:
PowerTrench®
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
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