Le numéro de série FQB55N10TM
fabricant:
Uniseme
Description:
Le système de détection de l'émission de gaz est utilisé pour la détection des gaz.
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
±25V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
55A (comité technique)
@ qty:
0
Type de FET:
N-canal
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
98 nC à 10 V
Produit de fabrication:
un demi
Quantité minimum:
800
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
QFET®
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
2730pF @ 25V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
² PAK (TO-263AB) DE D
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
26 mOhm @ 27,5 A, 10 V
Dissipation de puissance (maximum):
3.75W (merci), 155W (comité technique)
Emballage / boîtier:
TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 250µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
100 V
Introduction
Le FQB55N10TM,de onsemi,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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