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Transistor MOSFET
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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2SK1058-E |
MOSFET Puissance MOSFET
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Renesas électronique
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FQP20N06L |
Le niveau logique du MOSFET 60V N-Channel QFET
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Fairchild Semi-conducteur
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NX1029X, 115 |
MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch MOSFET de tranchée
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Nexpéria
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Le numéro de série est le numéro de série. |
MOSFET à double canal N
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Diodes incorporées
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SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifié
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Vishay Semi-conducteurs
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DMP1045U-7 est un |
MOSFET BVDSS
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Diodes incorporées
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IPW60R037P7 |
TRANSISTOR MOSFET HAUT POWER_NEW
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Infineon Technologies
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Le PMZ350UPEYL |
MOSFET 20V MOSFET à tranchée de canal P
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Nexpéria
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Les pièces de rechange doivent être équipées d'un dispositif d'échange de données. |
Le système de détection de l'eau est utilisé pour la détection de l'eau.
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Infineon Technologies
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FDMC86102 |
MOSFET 100 / 20V N-Chan PowerTrench
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Fairchild Semi-conducteur
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Le numéro de téléphone de l'établissement: |
MOSFET de puissance MOSFET - CoolMOS
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Des produits de la sous-culture
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Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes: |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
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Toshiba
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IRF7103TRPBF |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un dispositif de détection de CO2 à
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Infineon Technologies
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FDC637AN |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Fairchild Semi-conducteur
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Pour les appareils de surveillance de l'environnement |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V à 1,2Kv Rds rouges
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IXYS
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Infineon Technologies
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IPB180N04S4-H0 |
Le système de détection de la pollution atmosphérique est utilisé pour la détection de la pollution
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Infineon Technologies
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Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes en ce qui concerne les droits de douane: |
MOSFET 1 P-CH -100 V HEXFET 117 mOhms 64,7 nC
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Infineon Technologies
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Les services de l'État |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Circuits intégrés IXYS
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le débit de l'électricité est de 40 V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
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Vishay Semi-conducteurs
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IRF7342TRPBF |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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IR / Infineon
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FDG6332C |
MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
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Uniseme
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement. |
MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
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Vishay Semi-conducteurs
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le rapport annuel. |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de CO2.
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Vishay Semi-conducteurs
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Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9 |
Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à la puissance de l'appareil
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Vishay Semi-conducteurs
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IRFBC40PBF |
MOSFET N-Chan 600V 6,2 ampères
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Vishay Semi-conducteurs
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SI9926CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20V 8,0A 3,1W 18mohm @ 4,5V
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Vishay Semi-conducteurs
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Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: |
MOSFET 3-phase Full Bridge avec des MOSFET de tranchée
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IXYS
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Le nombre d'équipements à utiliser |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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Fairchild Semi-conducteur
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SI9435BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 5,7A 0,042 Ohm
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Vishay Semi-conducteurs
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ZXMP4A16GTA |
Le système de détection de l'urine est utilisé.
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Diodes incorporées
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le système de détection de l'urine est utilisé pour la détection de l'urine.
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Infineon Technologies
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IRL7486MTRPBF |
N-canal simple HEXFET du transistor MOSFET 40V
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IR / Infineon
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SPW32N50C3 |
Le système de détection de la pollution par le gaz est utilisé pour la détection de la pollution par
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Infineon Technologies
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Le numéro de série FCH76N60NF |
Le système de détection de l'émission de CO2 est utilisé pour la détection des émissions de CO2 dans
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Fairchild Semi-conducteur
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Le numéro d'enregistrement est le numéro IRFP27N60. |
MOSFET N-Chan 600V 27 Ampère
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Vishay Semi-conducteurs
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IPW65R080CFD |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être utilisé pour la détection de l'émission de CO
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Infineon Technologies
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IPW60R099C6 |
Le système de détection de la pollution par les gaz est utilisé pour la détection de la pollution.
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Infineon Technologies
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
Le système de détection de la pollution atmosphérique est utilisé.
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Infineon Technologies
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FDA50N50 |
Transistor MOSFET du TRANSISTOR MOSFET 500V NCH
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Fairchild Semi-conducteur
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FDPF18N20FT |
MOSFET UniFET 200 V
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Fairchild Semi-conducteur
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FDD86540 |
MOSFET 60V 50A 4,1 ohm NCh PowerTrench MOSFET
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Fairchild Semi-conducteur
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BSC014N04LS |
Transistor MOSFET N-ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Infineon Technologies
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SIA906EDJ-T1-GE3 |
Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
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Vishay Semi-conducteurs
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SI2371EDS-T1-GE3 |
Le système de détection de la pollution par le gaz doit être équipé d'un système de détection de la
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Vishay Semi-conducteurs
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le PMV213SN,215 |
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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Nexpéria
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BSS138PS, 115 |
MOSFET N-CH 60 V 320 mA
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Nexpéria
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BSC014N06NS |
Le système de détection de l'urine doit être utilisé pour la détection de l'urine.
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Infineon Technologies
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FDY1002PZ |
Transistor MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
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Uniseme
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FDMB3800N |
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
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Uniseme
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