IRF7342TRPBF
Caractéristiques
Polarité de transistor:
P-canal
Technologie:
SI
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Emballage / boîtier:
SO-8
Vds - tension claque de Drain-source:
- 55 V
emballage:
Le rouleau
Identification - courant continu de drain:
- 3,4 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
105 mOhms
Nombre de chaînes:
2e chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
20 V
Qg - charge de porte:
26 OR
Produit de fabrication:
IR / Infineon
Introduction
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