Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
fabricant:
Vishay Semi-conducteurs
Description:
Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à la puissance de l'appareil
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
emballage:
Le rouleau
Technologie:
SI
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nom commercial:
TrenchFET
Produit de fabrication:
Vishay Semi-conducteurs
Introduction
Le SI1050X-T1-GE3, de Vishay Semiconductors, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Les équipements doivent être équipés d'un système de contrôle de la circulation.
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
| Image | partie # | Description | |
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Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9 |
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Les équipements doivent être équipés d'un système de contrôle de la circulation. |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
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SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
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SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
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