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Transistor MOSFET

IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
FDG6332C

FDG6332C

MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.

Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.

MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
Les résultats de l'analyse sont publiés dans le rapport annuel.

Les résultats de l'analyse sont publiés dans le rapport annuel.

MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV
Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

MOSFET 8.0V 1.34A 0.236W 86mohm @ 4.5V
IRFBC40PBF

IRFBC40PBF

MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3

MOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:

Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:

MOSFET 3-Phase Full Bridge with Trench MOSFETs
Le nombre d'équipements à utiliser

Le nombre d'équipements à utiliser

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
SI9435BDY-T1-E3

SI9435BDY-T1-E3

MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm
Imagepartie #DescriptionfabricantCourantRFQ
STW9NK90Z

STW9NK90Z
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
STMicroélectronique
TK10A60D

TK10A60D
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
Toshiba
2SK3878

2SK3878
Applications de régulateur de commutation
Toshiba
14 15 16 17 18
Contactez-nous
Adresse: Chambre 808, tour A, rue Wah Sing 8 à 10, Kwai Chung, Hong Kong
Email: info@aichiplink.com
Téléphone: 86-755-83214964
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