Filtres
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Transistors
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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IRF7342TRPBF |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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IR / Infineon
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FDG6332C |
MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
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Uniseme
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement. |
MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
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Vishay Semi-conducteurs
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le rapport annuel. |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de CO2.
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Vishay Semi-conducteurs
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Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9 |
Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à la puissance de l'appareil
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Vishay Semi-conducteurs
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IRFBC40PBF |
MOSFET N-Chan 600V 6,2 ampères
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Vishay Semi-conducteurs
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SI9926CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20V 8,0A 3,1W 18mohm @ 4,5V
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Vishay Semi-conducteurs
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Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: |
MOSFET 3-phase Full Bridge avec des MOSFET de tranchée
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IXYS
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Le nombre d'équipements à utiliser |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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Fairchild Semi-conducteur
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SI9435BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 5,7A 0,042 Ohm
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Vishay Semi-conducteurs
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ZXMP4A16GTA |
Le système de détection de l'urine est utilisé.
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Diodes incorporées
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le système de détection de l'urine est utilisé pour la détection de l'urine.
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Infineon Technologies
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IRL7486MTRPBF |
N-canal simple HEXFET du transistor MOSFET 40V
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IR / Infineon
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SPW32N50C3 |
Le système de détection de la pollution par le gaz est utilisé pour la détection de la pollution par
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Infineon Technologies
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Le numéro de série FCH76N60NF |
Le système de détection de l'émission de CO2 est utilisé pour la détection des émissions de CO2 dans
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Fairchild Semi-conducteur
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Le numéro d'enregistrement est le numéro IRFP27N60. |
MOSFET N-Chan 600V 27 Ampère
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Vishay Semi-conducteurs
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IPW65R080CFD |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être utilisé pour la détection de l'émission de CO
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Infineon Technologies
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IPW60R099C6 |
Le système de détection de la pollution par les gaz est utilisé pour la détection de la pollution.
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Infineon Technologies
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
Le système de détection de la pollution atmosphérique est utilisé.
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Infineon Technologies
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FDA50N50 |
Transistor MOSFET du TRANSISTOR MOSFET 500V NCH
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Fairchild Semi-conducteur
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FDPF18N20FT |
MOSFET UniFET 200 V
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Fairchild Semi-conducteur
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FDD86540 |
MOSFET 60V 50A 4,1 ohm NCh PowerTrench MOSFET
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Fairchild Semi-conducteur
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BSC014N04LS |
Transistor MOSFET N-ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Infineon Technologies
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SIA906EDJ-T1-GE3 |
Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
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Vishay Semi-conducteurs
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SI2371EDS-T1-GE3 |
Le système de détection de la pollution par le gaz doit être équipé d'un système de détection de la
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Vishay Semi-conducteurs
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le PMV213SN,215 |
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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Nexpéria
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BSS138PS, 115 |
MOSFET N-CH 60 V 320 mA
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Nexpéria
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BSC014N06NS |
Le système de détection de l'urine doit être utilisé pour la détection de l'urine.
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Infineon Technologies
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FDY1002PZ |
Transistor MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
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Uniseme
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FDMB3800N |
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
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Uniseme
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Pour les véhicules à moteur: |
Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être équipé d'un système de détection de
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Uniseme
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IRF7341TRPBF |
Transistor MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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FDS89161 |
Transistor MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
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Uniseme
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Le numéro de série FDMQ8403 |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un dispositif de détection de CO2 à
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Uniseme
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DMN26D0UDJ-7 |
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
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Diodes incorporées
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DMG1024UV-7 |
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
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Diodes incorporées
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DMC3021LSD-13 |
Transistor MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
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Diodes incorporées
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FDS9926A |
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
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Uniseme
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IRF7317TRPBF |
Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un dispositif de ventilation.
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Infineon Technologies
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NTHD4102PT1G |
Transistor MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
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Uniseme
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DMP3036SSD-13 Pour les personnes âgées |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Diodes incorporées
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FDS6898AZ |
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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Uniseme
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Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme aux exigences suivantes: |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de CO2 de ty
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Uniseme
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IRF7380TRPBF |
Transistor MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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FDS4935A |
Transistor MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
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Uniseme
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DMC2400UV-7 |
Transistor MOSFET N/P-CH 20V SOT563
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Diodes incorporées
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DMG6601LVT-7 |
Transistor MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
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Diodes incorporées
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NTJD4152PT1G |
Transistor MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
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Uniseme
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NDC7002N |
Transistor MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
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Uniseme
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DMN5L06DWK-7 |
Transistor MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
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Diodes incorporées
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