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Transistors
Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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2SB1694T106 |
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Semi-conducteurs Rohm
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NJW0281G |
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Uniseme
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Le numéro de série FZT751TA |
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Diodes incorporées
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la liste ci-dessous: |
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Infineon Technologies
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D45H8G |
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Uniseme
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
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Uniseme
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
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Uniseme
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BC846B,235 |
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Nexpéria
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Les pièces détachées ne doivent pas être utilisées pour la fabrication d'un produit. |
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Uniseme
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Le numéro de téléphone de l'établissement |
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Diodes incorporées
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
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Diodes incorporées
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Le numéro de série FZT951TA |
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Diodes incorporées
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BCP56-16 115 |
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Nexpéria
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Les pièces de rechange doivent être équipées d'un dispositif de rechange. |
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Semi-conducteurs Rohm
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FZT753TA |
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Diodes incorporées
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MJD31CT4G |
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Uniseme
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Le nombre de points d'intervention est le suivant: |
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Semi-conducteurs Rohm
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
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Semi-conducteurs Rohm
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Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures prises. |
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Semi-conducteurs Rohm
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Les appareils de surveillance doivent être équipés d'un système de surveillance de l'environnement. |
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Uniseme
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FCX493TA |
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Diodes incorporées
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Le BC857CW,115 |
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Nexpéria
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Les données sont fournies à l'autorité compétente de l'État membre. |
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Uniseme
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BC856BW,115 |
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Nexpéria
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SI7540DP-T1-E3 |
MOSFET N- et P-CHANNEL 30V
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Vishay Semi-conducteurs
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Pour les appareils à combustion |
MOSFET 32 Ampères 500 V 0,15 Rds
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IXYS
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IXTH13N110 |
MOSFET 13 Ampères 1100V 0,92 Rds
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IXYS
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Pour l'utilisation des appareils électroménagers |
Le débit de CO2 est supérieur à la valeur de l'énergie utilisée.
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IXYS
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Pour les appareils de surveillance |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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IXYS
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Pour les appareils à commande numérique |
MOSFET 30 ampères 1000V 0,35 Rds
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IXYS
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2SK1058-E |
MOSFET Puissance MOSFET
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Renesas électronique
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FQP20N06L |
Le niveau logique du MOSFET 60V N-Channel QFET
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Fairchild Semi-conducteur
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NX1029X, 115 |
MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch MOSFET de tranchée
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Nexpéria
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Le numéro de série est le numéro de série. |
MOSFET à double canal N
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Diodes incorporées
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SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifié
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Vishay Semi-conducteurs
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DMP1045U-7 est un |
MOSFET BVDSS
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Diodes incorporées
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IPW60R037P7 |
TRANSISTOR MOSFET HAUT POWER_NEW
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Infineon Technologies
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Le PMZ350UPEYL |
MOSFET 20V MOSFET à tranchée de canal P
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Nexpéria
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Les pièces de rechange doivent être équipées d'un dispositif d'échange de données. |
Le système de détection de l'eau est utilisé pour la détection de l'eau.
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Infineon Technologies
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FDMC86102 |
MOSFET 100 / 20V N-Chan PowerTrench
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Fairchild Semi-conducteur
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Le numéro de téléphone de l'établissement: |
MOSFET de puissance MOSFET - CoolMOS
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Des produits de la sous-culture
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Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes: |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
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Toshiba
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IRF7103TRPBF |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un dispositif de détection de CO2 à
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Infineon Technologies
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FDC637AN |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Fairchild Semi-conducteur
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Pour les appareils de surveillance de l'environnement |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V à 1,2Kv Rds rouges
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IXYS
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Infineon Technologies
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IPB180N04S4-H0 |
Le système de détection de la pollution atmosphérique est utilisé pour la détection de la pollution
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Infineon Technologies
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Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes en ce qui concerne les droits de douane: |
MOSFET 1 P-CH -100 V HEXFET 117 mOhms 64,7 nC
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Infineon Technologies
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Les services de l'État |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Circuits intégrés IXYS
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le débit de l'électricité est de 40 V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
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Vishay Semi-conducteurs
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