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Transistors

Imagepartie #DescriptionfabricantCourantRFQ
MMBF170-7-F

MMBF170-7-F

MOSFET 60V 225mW
Diodes incorporées
Le PMXB360ENEAZ

Le PMXB360ENEAZ

MOSFET 80 V, MOSFET à tranchée N-canal
Nexpéria
Le nombre d'heures d'essai est déterminé par la méthode suivante:

Le nombre d'heures d'essai est déterminé par la méthode suivante:

MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifié
Siliconix / Vishay
Si3552DV-T1-GE3

Si3552DV-T1-GE3

Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à:
Vishay Semi-conducteurs
Le numéro de série est le numéro FQPF47P06YDTU

Le numéro de série est le numéro FQPF47P06YDTU

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Fairchild Semi-conducteur
IRFR320TRPBF

IRFR320TRPBF

MOSFET N-Chan 400V 3,1 ampères
Vishay Semi-conducteurs
Les produits de la catégorie 1

Les produits de la catégorie 1

Les résultats de l'analyse de l'efficacité de la méthode de dépistage sont publiés dans le rapport a
Nexpéria
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Vishay Semi-conducteurs
IRFB4310ZPBF

IRFB4310ZPBF

MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
Infineon Technologies
Le produit doit être présent dans les conditions suivantes:

Le produit doit être présent dans les conditions suivantes:

MOSFET -26,0 ampères -200V 0,170 Rds
IXYS
Le numéro d'immatriculation du véhicule est le numéro d'immatriculation du véhicule.

Le numéro d'immatriculation du véhicule est le numéro d'immatriculation du véhicule.

MOSFET 200 V QFET à canal N
Fairchild Semi-conducteur
Le numéro de série FDMS8888

Le numéro de série FDMS8888

MOSFET PwrTrench à canal N 30V 21A 9,5 mOhm
Fairchild Semi-conducteur
Le nombre d'équipements utilisés

Le nombre d'équipements utilisés

MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
Fairchild Semi-conducteur
FQP13N10

FQP13N10

MOSFET N-CH/100V/12.8A 0,18OHM
Fairchild Semi-conducteur
Le nombre de points de contrôle doit être le suivant:

Le nombre de points de contrôle doit être le suivant:

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Fairchild Semi-conducteur
FDD6630A

FDD6630A

MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Fairchild Semi-conducteur
SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3

MOSFET 150V 6,7A 5,2 W
Vishay Semi-conducteurs
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le résultat de cette analyse est le résultat d'une analyse de l'efficacité de l'équipement.
Infineon Technologies
IPB60R380C6

IPB60R380C6

Le débit de l'appareil est de 600 V 10.6A
Infineon Technologies
Le montant de l'aide est fixé à la valeur de l'aide accordée.

Le montant de l'aide est fixé à la valeur de l'aide accordée.

MOSFET SO-8
Fairchild Semi-conducteur
SI7232DN-T1-GE3

SI7232DN-T1-GE3

Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à 20 V.
Vishay Semi-conducteurs
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le système de détection de l'urine doit être utilisé pour la détection de l'urine.
Infineon Technologies
SQ3427AEEV-T1_GE3

SQ3427AEEV-T1_GE3

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifié
Vishay Semi-conducteurs
Le nombre de points d'intervention

Le nombre de points d'intervention

Le système de détection de l'émission de CO2 doit être utilisé.
Uniseme
DMP4025LSD-13

DMP4025LSD-13

Transistor MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
Diodes incorporées
IRF9358TRPBF

IRF9358TRPBF

Transistor MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
Infineon Technologies
NDS9945

NDS9945

Transistor MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
Uniseme
FDMA3023PZ

FDMA3023PZ

Transistor MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6
Uniseme
FDMA6023PZT

FDMA6023PZT

Transistor MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Uniseme
IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF

Transistor MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Infineon Technologies
DMP3056LSD-13

DMP3056LSD-13

Transistor MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Diodes incorporées
FDS6898A

FDS6898A

Transistor MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Uniseme
FDMS3620S

FDMS3620S

Transistor MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
Uniseme
FDS6975

FDS6975

Transistor MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Uniseme
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Transistor MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Diodes incorporées
DMC2038LVT-7

DMC2038LVT-7

Transistor MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
Diodes incorporées
Le nombre d'équipements utilisés

Le nombre d'équipements utilisés

Le système de détection de l'émission de gaz doit être équipé d'un système de détection de l'émissio
Uniseme
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Le système de détection de l'émission de gaz est utilisé pour la détection des gaz.
Infineon Technologies
FDC6506P

FDC6506P

Transistor MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Uniseme
FDS9958

FDS9958

Transistor MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
Uniseme
Le nombre d'équipements utilisés

Le nombre d'équipements utilisés

Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A.
Uniseme
STN1NK60Z

STN1NK60Z

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
STMicroélectronique
Je suis désolé.

Je suis désolé.

MOSFET N-CH 1KV 13A à 247
STMicroélectronique
FDV301N

FDV301N

Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à:
Uniseme
NTS4001NT1G

NTS4001NT1G

Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être utilisé.
Uniseme
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être équipé d'un système de détection de
Diodes incorporées
DMP3099L-7 est une

DMP3099L-7 est une

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Diodes incorporées
DMG3402L-7

DMG3402L-7

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes incorporées
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Le système de détection de la pollution par le gaz est utilisé pour la détection des gaz.
Diodes incorporées
NDS331N

NDS331N

Le système de détection de l'émission de gaz est utilisé pour la détection des gaz.
Uniseme
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