Le PMXB360ENEAZ
fabricant:
Nexpéria
Description:
MOSFET 80 V, MOSFET à tranchée N-canal
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
1,1 A
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
Le nombre d'étoiles est le suivant:
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
80 V
emballage:
Le rouleau
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
1.7 V
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
345 mOhms
Vgs - tension de Porte-source:
20 V
Qg - charge de porte:
3 nC
Produit de fabrication:
Nexperia
Introduction
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