BSS84AKS, 115
Caractéristiques
Polarité de transistor:
P-canal
Technologie:
SI
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Emballage / boîtier:
SOT-363-6
Vds - tension claque de Drain-source:
- 50 V
emballage:
Le rouleau
Identification - courant continu de drain:
- 160 mA
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
7,5 ohms
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Qg - charge de porte:
0.35 nC
Produit de fabrication:
Nexperia
Introduction
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