Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
fabricant:
Nexpéria
Description:
Les résultats de l'analyse de l'efficacité de l'émission de dioxyde de carbone sont présentés dans l
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
950 mA, 950 mA
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
SOT-363-6
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
30 V, 30 V
emballage:
Le rouleau
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
750 mV, 750 mV
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
411 mOhms, 411 mOhms
Nombre de chaînes:
2e chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
12 V, 12 V
Qg - charge de porte:
1.05 nC, 1.05 nC
Produit de fabrication:
Nexperia
Introduction
Le PMGD175XNEX,de Nexperia,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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