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Produits semiconducteurs discrets

Imagepartie #DescriptionfabricantCourantRFQ
Pour les appareils à commande numérique

Pour les appareils à commande numérique

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Uniseme
Les informations suivantes doivent être fournies:

Les informations suivantes doivent être fournies:

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
Le numéro de la banque

Le numéro de la banque

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Uniseme
Les informations suivantes doivent être fournies:

Les informations suivantes doivent être fournies:

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
Le nombre d'équipements à transporter est déterminé par le système de mesure.

Le nombre d'équipements à transporter est déterminé par le système de mesure.

MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Vishay Siliconix
IRF9510 PBF

IRF9510 PBF

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
FDD2572

FDD2572

MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Uniseme
Pour les produits de la catégorie 1

Pour les produits de la catégorie 1

MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Nexperia États-Unis Inc.
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Vishay Siliconix
Les données relatives à l'utilisation du système de surveillance de l'Union

Les données relatives à l'utilisation du système de surveillance de l'Union

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

Le système de détection de l'urine est utilisé pour la détermination de l'urine.
Vishay Siliconix
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
Le nombre de points de contact

Le nombre de points de contact

MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Uniseme
DN2540N8-G

DN2540N8-G

MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Technologie des puces
Les États membres doivent respecter les règles énoncées à l'annexe IV.

Les États membres doivent respecter les règles énoncées à l'annexe IV.

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Vishay Siliconix
Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Vishay Siliconix
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes de l'Union.

Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes de l'Union.

MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
Si le produit est présent dans le produit, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.

Si le produit est présent dans le produit, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.

MOSFET N-CH 100V 19,7A 8SO Pour les appareils électroniques
Vishay Siliconix
Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement

Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
Le numéro de téléphone est le FDMC6679AZ.

Le numéro de téléphone est le FDMC6679AZ.

MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Uniseme
Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes:

Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes:

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Vishay Siliconix
Le numéro de série FDS6679

Le numéro de série FDS6679

Transistor MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Uniseme
Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Vishay Siliconix
SQ2389ES-T1_GE3

SQ2389ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
Le numéro de série FQT7N10

Le numéro de série FQT7N10

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Uniseme
Le numéro de téléphone de l'établissement

Le numéro de téléphone de l'établissement

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement sont fournies à l'adresse suivante:

Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement sont fournies à l'adresse suivante:

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
Le nombre de fois où les données sont utilisées est le même.

Le nombre de fois où les données sont utilisées est le même.

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Uniseme
ZXMP6A17GTA

ZXMP6A17GTA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Diodes incorporées
NDT3055

NDT3055

MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Uniseme
SQ2309ES-T1_GE3

SQ2309ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Vishay Siliconix
Les produits de base doivent être présentés dans la liste suivante:

Les produits de base doivent être présentés dans la liste suivante:

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Uniseme
ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA

MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Diodes incorporées
Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.

Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.

MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Vishay Siliconix
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:

Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Uniseme
Le nombre de points d'interrogation

Le nombre de points d'interrogation

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Uniseme
NTR4171PT1G

NTR4171PT1G

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Uniseme
Si le produit est présent dans le produit, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.

Si le produit est présent dans le produit, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.

Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
Vishay Siliconix
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
Le numéro de série FDN337N

Le numéro de série FDN337N

MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Uniseme
NTR0202PLT1G

NTR0202PLT1G

MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Uniseme
BSS138LT1G

BSS138LT1G

Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être équipé d'un système de détection de
Uniseme
NTR4003NT1G

NTR4003NT1G

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Uniseme
Le montant de la garantie est calculé en fonction des conditions suivantes:

Le montant de la garantie est calculé en fonction des conditions suivantes:

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Uniseme
Pour les véhicules à moteur à combustion

Pour les véhicules à moteur à combustion

Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être équipé d'un système de détection de
IXYS
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.

Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
IXYS
135 136 137 138 139