Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
55 nC @ 5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Supplier Device Package:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 10.5A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
FET Type:
P-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Emballage / boîtier:
8-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm)
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
8.7A (ventres)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4401
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à la puissance de l'appareil.
Produits connexes
Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Le numéro de série IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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