Les émissions de gaz à effet de serre sont les suivantes:
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
19 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3Ohm @ 1.4A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Package:
Tube
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±20V
Statut du produit:
Actif
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
360 pF @ 25 V
Type de montage:
À travers le trou
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-251AA
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFU420
Introduction
N-canal 500 V 2,4 A (Tc) 2,5 W (Ta), 42 W (Tc) à travers le trou TO-251AA
Produits connexes
Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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