Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
5 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
250mOhm @ 1.5A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Dissipation de puissance (maximum):
Pour les appareils à commande numérique
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.15A (Ta)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Base Product Number:
SI2328
Introduction
N-Channel 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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